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本发明揭示了一种SiGe支撑三结级联太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，突破了晶格常数的限制，通过采用GeSi合金作为1.0eV子电池与支撑衬底，在GeSi合金表面键合薄层GaAs作为生长GaInP和GaAs子电池的衬底，然后生长GaAs...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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