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本发明实施例公开了一种制造高红外吸收硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在硅衬底材料上注入掺杂离子，形成掺杂层；用激光脉冲照射形成了掺杂层的硅衬底材料的表面，使该表面形成平整表面。本发明的实例的方法中，首先利用离子注入技术在硅衬底上形成高浓...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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