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本发明公开了一种基于选择性铝阳极氧化的BGA基板多层互连结构及方法，利用选择性铝阳极氧化工艺制造上层铝薄膜多层互连结构和下层铝基板穿孔金属化结构，上层铝薄膜多层互连结构的钽铝合金薄膜中的若干导带分别与铝薄膜中的若干导带电性连接；相邻两组的钽...
该专利属于上海航天电子通讯设备研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海航天电子通讯设备研究所授权不得商用。

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