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本发明揭示了一种利用FIB切割以实现纳米级样品立体观测的方法。该方法包括：提供待测样品；对所述待测样品的感兴趣区域沿第一方向切割进行第一TEM薄片样品制备，获得第一TEM薄片样品，并从第二方向进行TEM观测；对所述第一TEM薄片样品沿第二方...
该专利属于胜科纳米（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过胜科纳米（苏州）有限公司授权不得商用。

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