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一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法技术
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文档序号:10651617
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一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管,包括一个垂直方向的环状半导体沟道,一个环状栅电极,一个环状栅介质层,一个源区,一个杂质分凝区,一个漏区,一个杂质分凝区,一个半导体衬底;其中,源区位于垂直沟道的底部,与...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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