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本发明涉及一种用于改善接地性能的CMOS图像传感器及其制作方法，所述用于改善接地性能的CMOS图像传感器包括：半导体外延层；作为电荷收集区的第二导电类型半导体区；第一导电类型半导体阱；位于所述第一导电类型半导体阱上方的栅极；设置于所述第二导...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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