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在成为n-漂移层的半导体基板的内部，在背面侧的表面层设置p+集极层，在比背面侧的p+集极层更深的区域设置由多个n+层构成的n+场停止层。在半导体基板的正面形成正面元件构造后，在半导体基板的背面，通过与形成n+场停止层的深度对应的加速电压来进...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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