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本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件...
该专利属于中国科学院新疆理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院新疆理化技术研究所授权不得商用。

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