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本发明提供了一种氢同位素气体净化方法，所述净化方法依次包括如下步骤：a.氢同位素气体净化装置的漏率检验，充He至1.5MPa，保压60min；b.净化前的预处理；c.净化处理；d.后处理。采用本发明的净化方法，能够获得高纯度的氢同位素气体。...
该专利属于中国工程物理研究院材料研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院材料研究所授权不得商用。

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