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一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层；刻蚀所述第一介质层，形成暴露出所述半导体衬底的第一开口；在所述第一开口内形成外延层，所述外延层填充满所述第一开口，所述外延层的载流子迁移率大于所述半导体...
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