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一种预测半导体器件寿命的工作电压的方法：在半导体器件栅端施加应力电压以K倍增加，在应力施加过程中，栅电压在VGstress_2和VGmeasure之间循环跳转，漏电压在0和VDmeasure之间循环跳转，当栅电压为VGmeasure，漏电压...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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