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作为光传感器的MOS晶体管结构制造技术
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下载作为光传感器的MOS晶体管结构的技术资料
文档序号:10579550
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描述了一种用于登记光的结构,包括:MOS晶体管结构(101,201,401,501,601,701),具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区...
该专利属于NXP股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过NXP股份有限公司授权不得商用。
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