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本发明提供一种MOS器件的制造方法，包括下步骤：1）于半导体衬底表面形成第一栅氧层；2）于所述第一栅氧层表面形成氮氧化硅层；3）于输入输出器件区域表面形成光刻胶，去除核心器件区域表面的氮氧化硅层及第一栅氧层；4）于核心器件区域表面形成第二栅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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