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本实用新型提供一种密封环结构，包括至少两层金属线，相邻两层金属线之间通过导电柱连接，所述金属线或导电柱连接有缓冲部。本实用新型利用连接于金属线或导电柱的缓冲部来缓解来自于晶粒切割时产生的剪切应力，能够避免由于分层原因造成的芯片报废。其中，连...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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