温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种等离子体损伤检测结构及其检测方法,其中等离子体损伤检测结构包括:第一参考NMOS晶体管;第一阈值电压检测单元,用于检测第一参考NMOS晶体管的阈值电压,并输出检测的第一参考NMOS晶体管的阈值电压;第一测试NMOS晶体管;天线,所述天线...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种等离子体损伤检测结构及其检测方法,其中等离子体损伤检测结构包括:第一参考NMOS晶体管;第一阈值电压检测单元,用于检测第一参考NMOS晶体管的阈值电压,并输出检测的第一参考NMOS晶体管的阈值电压;第一测试NMOS晶体管;天线,所述天线...