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本发明公开了一种半导体功率器件的导线强化焊接结构,包括框架内引线,所述框架内引线的表面具有焊接区,所述焊接区焊接有导线,所述焊接区两侧的框架内引线上设有向上的翻边,所述框架内引线、翻边及导线与焊接区连接的一端的外围设有塑封层。本发明通过设置...该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体功率器件的导线强化焊接结构,包括框架内引线,所述框架内引线的表面具有焊接区,所述焊接区焊接有导线,所述焊接区两侧的框架内引线上设有向上的翻边,所述框架内引线、翻边及导线与焊接区连接的一端的外围设有塑封层。本发明通过设置...