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一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法技术
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文档序号:10542178
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本发明提供了一种超薄硅氮化合物膜材料及其制备方法:将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,通入NH3气体和SiH4气体作为反应气体,通入氩气作为载体和保护气体,进行气相沉积,获得超薄氮化硅膜材料。其中,控制高密度等离子体增强化学...
该专利属于国家纳米科学中心所有,仅供学习研究参考,未经过国家纳米科学中心授权不得商用。
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