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半导体装置具有设置于沟道层(14)的上部上的上部障壁层中的第一障壁层(15)，第一障壁层(15)构成沟道层(14)侧的界面层并且由这样的化合物半导体构成：在第一障壁层(15)与沟道层(14)的接合部，该化合物半导体的载流子运动侧能带比沟道层...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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