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发射辐射的半导体器件包括：第一基底区，该第一基底区包括n型III-V半导体材料；第二基底区，该第二基底区包括p型III-V半导体材料；以及多量子阱结构，该多量子阱结构被布置在所述第一基底区与所述第二基底区之间。所述多量子阱结构包括至少三个量...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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