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本发明公开了一种集成温度的高性能压力传感器芯片及制造方法，制造方法，包括对SOI硅片热氧化，形成薄氧化层，然后LPCVD淀积低应力氮化硅；在SOI硅片背面进行光刻，湿法腐蚀出压力敏感膜，并在压力敏感膜区域处形成空腔；去除SOI硅片上的氮化硅...
该专利属于龙微科技无锡有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙微科技无锡有限公司授权不得商用。

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