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本实用新型涉及一种提高剩余电流保护断路器可靠性的触发电路，其包括电磁脱扣线圈TR、可控硅SCR1和SCR2、二极管D7、D8和D9以及电容C8，所述可控硅SCR1的阳极接脱扣线圈TR，可控硅SCR1的阴极接可控硅SCR2的阳极，可控硅SCR...
该专利属于华通机电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华通机电股份有限公司授权不得商用。

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