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本发明提供了一种平面光波导器件芯层薄膜的制备方法，包括：采用硅烷、一氧化二氮和锗烷气体沉积形成芯层薄膜；在一定温度条件下，对所述芯层薄膜进行退火处理；其中，当所述硅烷的气体流量小于175sccm，所述一氧化二氮的气体流量小于3000sccm...
该专利属于四川飞阳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川飞阳科技有限公司授权不得商用。

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