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本申请公开了一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：电流扩展层；外延层，位于所述电流扩展层之下；图形化蓝宝石衬底，位于所述外延层之下，其中所述图形化蓝宝石衬底具有上表面和下表面，所述上表面靠近所述外延层；以及分布式布拉格反射层，覆盖所述图形化...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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