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一种铜金属层图形化方法、铜插塞、栅极和互连线的形成方法，铜金属层图形化方法包括：提供基底，在所述基底上形成铜金属层，在所述铜金属层上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，对暴露的铜金属层进行离子注入，所述离子注入的注入离子中含有卤...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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