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本发明涉及一种基于二维半导体晶体的栅控PN结，包括：栅区、源区、漏区、沟道区和衬底。本发明采用对离子导电、对电子绝缘的固态多孔材料作为栅介质层，所述栅介质同时含有正、负两种离子。栅介质与沟道区的界面形成一个理论厚度只有1nm的双电层电容，使...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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