温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出R‑VGF法生长高质量化合物半导体单晶工艺。即R‑VGF（Rotation‑Vertical Gradient Freeze）法，是在VGF法单晶生长工艺的基础上，加入旋转工艺，可获得均匀分布的径向温场，有利于轴向温场进行有效散热...
该专利属于大庆佳昌晶能信息材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大庆佳昌晶能信息材料有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。