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本发明涉及电磁技术领域，具体公开了一种用边界拼接技术设计的外部电磁隐身装置。包括从圆柱体互补介质隐身斗篷上截取的由1b核心区域和2b互补介质区域两个部分组成的扇形柱，该扇形柱的横截面为夹角2θ的扇形，该扇形柱的弯曲弧面为圆柱体互补介质隐身斗...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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