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一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有伪栅，位于所述伪栅两侧的侧墙，覆盖所述半导体衬底和所述侧墙的介质层，所述介质层的顶表面与所述伪栅的顶表面齐平；去除所述伪栅，形成开口，所述开口暴露出部分半导体衬底表面；...
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