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本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。在所述光电二极管区形成锗浓度渐变的硅锗层，从而提高了光学生成效率，在较弱的光下也容易激发出电流，提高了CMOS图像传感器的使用效率。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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