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一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有相邻的至少两个凸起的鳍部，横跨所述鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部内的源/漏区；在所述源/漏区上选择性外延形成半导体层，所述半导体层覆盖鳍部的部分...
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