温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法，包括：(1)在高真空环境中对氮化铝陶瓷基片进行加热烘烤，加热和抽真空同步进行，将水汽完全挥发和抽掉；(2)在高真空环境下，用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺，在氮化铝陶瓷基片的正面利用金属掩模选择...
该专利属于贵州振华风光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州振华风光半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。