温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制造方法、TFT、阵列基板及显示装置。所述低温多晶硅薄膜的制造方法，包括在衬底上形成非晶硅层，利用掩膜板保护非晶硅层上源电极和漏电极所在区域，经干刻形成图案，再经晶化处理后形成低温多晶硅层。本发明通过在原工艺...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司授权不得商用。