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本发明公开了一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法：首先清洗基片，再采用磁控溅射方法，以金属Ni为靶材，沉积得到NiO薄膜，再于500-700℃进行后退火处理；最后以ITO为靶材，制备ITO薄膜顶电极，制得高调谐压控透明氧化镍薄膜电容...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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