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本申请涉及沟槽MOSFET和形成沟槽MOSFET的方法。高迁移率的P-沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。根据本发明的一种实施例，功率MOSFET被制作成使空穴在沿着(110)晶面或其等价面的反转/累积沟道中流动，当相对于源极施加负电压到...
该专利属于维西埃-硅化物公司所有，仅供学习研究参考，未经过维西埃-硅化物公司授权不得商用。

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