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本发明涉及一种结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统及方法，利用了微控制器芯片和FPGA实现对被测SRAM的状态控制，使被测SRAM既可工作在地址固定的单地址测试状态，又可工作在全地址扫描的全地址测试状态，同时满足捕获数据瞬时变...
该专利属于西北核技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西北核技术研究所授权不得商用。

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