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本发明公开了一种InGaAsN/AlGaInAs量子阱为有源层的1550nm长波长垂直腔面发射激光器，其特点在于有源层为InP基的InGaAsN/AlGaInAs的QWs以及AlGaAsSb/AlAsSb作为DBR材料。它的谐振腔腔长为1λ...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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