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本发明涉及一种具有光栅结构的边发射半导体激光器及制作方法，包括以下步骤：在砷化镓衬底上依次制备N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层和P型欧姆接触层；在P型欧姆接触层的上表面光刻出脊形台面；在P型限制层的上方及两侧淀...
该专利属于北京牡丹电子集团有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京牡丹电子集团有限责任公司授权不得商用。

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