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本发明涉及半导体装置制造时的低热预算方案，在本发明的态样中，揭露的是形成半导体装置的方法，其中非晶区是形成于制造期间的早期阶段，并且非晶区是保存于后续处理过程顺序期间，以及具有非晶区的中间半导体装置结构是设于制造期间的早期阶段。本文中，闸极...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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