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为避免干法刻蚀形成的沟槽开口大、底部小，及其进而导致的图形转移不精准问题，本发明提供一种新的自对准双构图方法。先利用干法刻蚀在第一材料层内形成开口大、底部小的沟槽，且所述沟槽的底部暴露所述待刻蚀层；接着在该沟槽内填入第二材料层，该第二材料层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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