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本发明涉及一种SiCMOS电容及制造方法。所述SiC MOS电容包括：SiC衬底、栅介质层和正负电极；所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述栅介质层包括上层SiO2过渡层、LaxAl1-xO层和下层SiO2过渡层；所述SiC外延层上设有所...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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