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本发明公开了一种封装方法，采用两道研磨工序，并在第一道研磨工序后晶圆具有较厚的厚度，从而在划片时，以及在上片前的工序中具有更高的机械强度，不容易在这些工序中发生背崩。在第二道研磨工序中可以细磨，达到单颗晶粒的最终厚度，该最终厚度不在受划片等...
该专利属于山东华芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华芯半导体有限公司授权不得商用。

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