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本发明涉及半导体器件及其制造方法、显示单元及电子设备制造方法。一种半导体器件，包括：栅电极和布线；覆盖栅电极和布线的第一绝缘膜；与栅电极相对的半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；位于与半导体膜相邻的位置的第一凹部；连接孔，连接孔设置...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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