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本发明涉及利用氟掺杂技术形成集成电路系统的方法，提供一种用于形成半导体装置的方法，其包含下列步骤：提供栅极结构于半导体基板的有源区中，其中该栅极结构包含有高k材料的栅极绝缘层、栅极金属层及栅极电极层，形成邻近该栅极结构的侧壁间隔体，以及之后...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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