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一种阻变存储器的制备方法技术
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文档序号:10418187
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本发明涉及半导体领域,旨在提供一种阻变存储器的制备方法。该制备方法包括在衬底上依次组装底电极、阻变介质层和顶电极,阻变介质层材料的制备包括步骤:依次将第一前驱体、惰性气体、第一反应物、惰性气体通入反应器中,使用等离子体增强原子层沉积技术制备...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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