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一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法技术
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下载一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法的技术资料
文档序号:10412582
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本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法,所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素,B元素的含量为0~20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相,其中富B相均匀的分布在富Co相中,所述富Co相的平均晶粒尺...
该专利属于贵研铂业股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过贵研铂业股份有限公司授权不得商用。
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