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本发明提出了一种四元发光二极管及其制造方法，其中一种四元发光二极管，自下而上依次包括衬底、缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层、上包覆层、局部掺杂突变区、外延窗口层、上电极和下电极，局部掺杂突变区位于上电极的正下方，在衬底上通过第一次外延...
该专利属于北京太时芯光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京太时芯光科技有限公司授权不得商用。

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