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辐射探测器制造技术
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文档序号:10384959
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本发明涉及一种辐射探测器(2),包括:辐射敏感半导体元件(10),其响应于辐射(3)的辐照生成电子空穴对;阳极电极(20),其被布置在所述半导体元件(10)的面向所述辐射相反方向的第一表面(11)上,所述阳极电极(20)被分割成表示阳极像素...
该专利属于皇家飞利浦有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过皇家飞利浦有限公司授权不得商用。
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