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本发明涉及稳定的无定形金属氧化物半导体。本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极...
该专利属于希百特股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过希百特股份有限公司授权不得商用。

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