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本发明公开了一种BCD工艺中的隔离型齐纳二极管，包括N型深阱，形成于半导体衬底上并用于实现隔离型齐纳二极管的隔离；P型区，包括叠加而成的高压P阱、P阱和P型基区；N型区，由形成于P型区表面上的N型源漏注入区组成，N型区底部和P型区接触并形成...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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