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本发明公开了一种基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件输出功率低、散热性差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，该主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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